%0 Journal Article
%T MOVPE生长GaAs薄层的线偏振光吸收系数的电流感生变化
%A 王德煌
%A 王威礼
%A 李桂棠
%A 段树坤
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,△α明显增大,且△α(λ)谱极大值位置向长波端有一个小移动以至△α(λ)谱线半值全宽也有增宽.λ=900nm处,△α值基本上随电流线性增加.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1BE75A8174CC9901&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=9A596D09E9486F3E&eid=5DD21DF25EF52D4A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0