%0 Journal Article
%T ZnSe-ZnTe应变层超晶格的分子束外延生长及特性分析
%A 沈爱东
%A 崔捷
%A 陈云良
%A 徐梁
%A 王海龙
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 运用MBE/FWIII设备成功地生长了高质量的ZnSe-ZnTe应变层超晶格.对材料的特性进行了俄歇电子能谱、低角度X射线衍射、光荧光及拉曼光谱等分析测试.并首次观测到ZnSe层内6个LO声子限制模.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2891839BDAAE906E&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=7882A2973AA04DE8&eid=D5970ECA7D10A7B1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0