%0 Journal Article
%T SIMOX材料的TEM研究
%A 李映雪
%A 奚雪梅
%A 王兆江
%A 张兴
%A 王阳元
%A 林成鲁
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０１８／ｃｍ２到１．８×１０１８／ｃｍ２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构．注入剂量为０．６×１０１８／ｃｍ２时，可以获得连续的ＳｉＯ２埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生；注入剂量为１．５×１０１８／ｃｍ２时，采用双重注入可以获得质量很好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层仅有较少的穿通位错；注入剂量为１．８×１０１８／ｃｍ２时，三重注入可以获得质量好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层穿通位错稍多．
%K SIMOX材料
%K TEM
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0F3BA0BA88C0E98E&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=39EEF47180459690&eid=C3BF5C58156BEDF0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0