%0 Journal Article
%T InGaAs/InP体材料和量子阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析
%A 朱龙德
%A 李晶
%A 陈德勇
%A 熊飞克
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 研究了InP、InGaAs体材料薄膜和InGaAs/InP量子阱和超晶格的低压MOCVD生长。InP外延层背景电子浓度为(1-5)×10~(13)/cm~3,低温电子迁移率为45240cm~2/V·s。InGaAs/InP异质结应变层匹配度可以控制在±(1-3)×10~(-3),匹配的InGaAs层的背景电子浓度为(2-5)×10~(13)/cm~3,室温及低温电子迁移率为8660和65150cm~2/v·s。InGaAs/InP量子阱的标定阱宽从114A减少到6.4A时低温光致发光峰能量上移量从59meV增加到362.5meV,线宽从12.4meV增加到57meV。InGaAs/InP超晶格的X射线衍射曲线显示了高至3级的卫星峰结构。观察到从AsH_3切换到PH_3时由于As的优先掺入特性引起的InP中As的掺入,其组份达到0.09。证实了它是线宽加大、荧光峰上移降低的一个因素。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1F70D3022E931813&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=E158A972A605785F&sid=3D9746C06EC12B45&eid=CEC789B3C68C3BB3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0