%0 Journal Article
%T MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究
%A 胡雨生
%A 胡福义
%A 汪乐
%A 李爱珍
%A 范伟栋
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。
%K GaAs／Si材料
%K 分子束外延
%K 调制光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE380C68C47AF6ABCC8F&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=76B5E24D6EC46B4B&eid=09E495F616948E78&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3