%0 Journal Article
%T p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究
%A 史常忻
%A A.Mesquida Kusters
%A A.Kohl
%A R.Muller
%A K.Heime
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm~2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。
%K 光电探测器
%K p－InGaAs
%K 肖特基势垒
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5787AC43BD32CDBE&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=5D9D6A8FC2C66FD8&eid=2BA123C6EB9D54C2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=3