%0 Journal Article
%T GaAs中Si~+注入的X射线双晶衍射研究
%A 朱南昌
%A 陈京一
%A 李润身
%A 许顺生
%A 夏冠群
%A 胡素英
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10~(13)cm~(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10~(15)cm~(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位上,使激活率难以提高.分析表明,空位和应力在Si原子从间隙位到替代位的过程中起了很大的作用,是GaAs中Si离子注入产生饱和现象的.主要原因.
%K 砷化镓
%K 离子注入硅
%K X射线
%K 双晶衍射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398B44FB1C2D50814DB0&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=C36EC077A8A90308&eid=331211A5F5616413&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2