%0 Journal Article
%T Preparation of Molybdenum-Doped Indium Oxide Thin Films by Channel Spark Ablation<br>渠道火花烧蚀法制备In2O3∶Mo透明导电薄膜
%A Huang Li
%A Li Xifeng
%A Zhang Qun
%A Miao Wein
%A Zhang Li
%A Zhang Zhuangjian
%A Hua Zhongyi
%A <br>黄丽
%A 李喜峰
%A 张群
%A 缪维娜
%A 张莉
%A 章壮健
%A 华中一
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3∶Mo透明导电薄膜，研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响. 在基板温度Ts=350℃时，薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势. 薄膜电阻率最小值是4.8e-4Ω·cm，载流子浓度为7.1e20cm-3. 载流子迁移率最高可达49.6cm2/ (V·s) . 可见光区域平均透射率大于87%以上，由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4.6eV. X射线衍射分析表明，薄膜结晶性良好并在（222）晶面择优取向生长. 原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0.72nm,平均粗糙度为0.44nm，峰谷最大差值为15.4nm.
%K molybdenum-doped indium oxide
%K channel spark ablation
%K work function
%K ultraviolet photoelectron spectroscopy<br>In2O3∶Mo
%K 渠道火花烧蚀
%K 功函数
%K 紫外光电子谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C02E8E25630862FCC56645EDABA8E2F3&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=72AC0867AA69EEA5&eid=5ED6EDDC75FE6118&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1