%0 Journal Article
%T Preparation to n-Type B-S Co-Doped Diamond Films with Low Resistivety<br>低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备
%A Hu Xiaojun
%A Li Rongbin
%A Shen Hesheng
%A Dai Yongbing
%A He Xianchang
%A <br>胡晓君
%A 李荣斌
%A 沈荷生
%A 戴永兵
%A 何贤昶
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜.质子激发X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度;扫描电镜和Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整,薄膜中存在较多的非金刚石碳相.Hall效应测试表明薄膜的导电类型为n型,电阻率为0 .0 2 4 6 Ω·cm,载流子浓度为2 .4 0×1 0 1 7cm- 3,Hall迁移率为1 0 3cm2 / (V·s) ;较低的电阻率是薄膜中存在sp2键和掺入的硫杂质等多种因素作用的结果
%K co
%K doping
%K boron and sulfur
%K n
%K type
%K diamond
%K resistivity<br>共掺杂
%K 硼硫
%K n型
%K 金刚石
%K 电阻率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=79623860F0A1897E&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=816AB2919A4FEDD7&eid=724110922AF7E025&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=22