%0 Journal Article
%T Ion Implant Isolation Technology for AlGaN/GaN HEMTs<br>采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件
%A Xiao Dongping
%A Liu Jian
%A Wei Ke
%A He Zhijing
%A Wang Runmei
%A Liu Xinyu
%A Wu Dexin
%A <br>肖冬萍
%A 刘键
%A 魏珂
%A 和致经
%A 王润梅
%A 刘新宇
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 对Al Ga N/Ga N HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在- 3V左右时,源漏间电流为几十n A.肖特基势垒的反向漏电流在- 1 0 V下约为几百n A.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于70 0℃.
%K AlGaN/GaN
%K HEMTs
%K ion implantation<br>AlGaN/GaN
%K HEMT
%K 离子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8CEEAAE0CDA47EC6&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=E158A972A605785F&sid=D9202C57BAB9096F&eid=FCACFF68346F8D4F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=6