%0 Journal Article
%T 双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究
%A 郑养鉥
%A 张敏
%A 凌栋忠
%A 吴璘
%A 顾惠芬
%A 郑庆云
%A 邱斌
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 采用双层金属布线可以提高集成电路的集成密度、集成度和速度。本文报道了双层金属布线工艺技术成功地应用于制造标准3μm硅栅CMOS 500门、1200门、2000门多种门阵列专用大规模集成电路。本文对双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术的几个关键技术问题进行讨论。
%K 集成电路
%K 多层布线
%K CMOS
%K 工艺
%K 电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A4E8D96AC1790AA7&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=933658645952ED9F&eid=ECE8E54D6034F642&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2