%0 Journal Article
%T Surface States and Other Local States in Al_xGa_(1-x)N Barriers of Modulation-Doped Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterosturctures<br>调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究
%A Liu Jie
%A Shen Bo
%A Zhou Yugang
%A Zhou Huimin
%A Zheng Zewei
%A Zhang Rong
%A Shi Yi
%A Zheng Youdou
%A <br>刘杰
%A 沈波
%A 周玉刚
%A 周慧梅
%A 郑泽伟
%A 张荣
%A 施毅
%A 郑有炓
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容电压(C V)特性,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究.结果发现在小偏压下,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降,说明势垒层中存在表面态.实验数据分析表明:表面态密度约为10 13 cm-2 量级,表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大.随着空间隔离层厚度的增加,势垒层中其他局域态密度随之增加.在金属电极和Al0 2 2 Ga0 78N势垒层之间加入Si3 N4绝缘层可以对表面态起到显著的钝化作用,使表面态密度降为～10 12 cm-2 量级
%K Ⅲ族氮化物
%K 调制掺杂异质结构
%K 势垒层
%K 表面态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D97143E2B349D400F64B9C0978017199&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=5D311CA918CA9A03&sid=F7C11D7E3E8C5D3F&eid=4C69616AE50D2DDC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0