%0 Journal Article
%T Surface Structures of Silicon Nitride Thin Films on Si (111)<br>生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构
%A ZHAI Guang
%A |jie
%A YANG Jian
%A |shu
%A CUE Nelson
%A WANG Xue
%A |sen
%A <br>翟光杰
%A 杨建树
%A 陈显邦
%A 王学森
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 利用扫描隧道显微镜 ( STM)等分析手段 ,我们对 Si( 1 1 1 )在 NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究 .Si( 1 1 1 )在 1 0 75K暴露于 NH3后 ,表现所形成的氮化硅存在周期为 1 .0 2 nm的(“8/3× 8/3”)再构 ,当温度提高到 1 1 2 5K以上时 ,表面出现周期为 3.0 7nm的超结构 .这两种表面超结构都可以形成“8× 8”低能电子衍射花样 .系统的研究证明 3.0 7nm超结构是在 Si( 1 1 1 )表面形成晶态 β- Si3N4 薄膜 ( 0 0 0 1 )表面的 4× 4再构 ,而 1 .0 2 nm周期是 Si( 1 1 1 )表面未获得有效氮化的一种结构
%K silicon
%K silicon nitride
%K surface structure
%K STM
%K LEED<br>硅
%K 氮化硅
%K 表面结构
%K 扫描隧道显微镜
%K 低能电子衍射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2DDECAD467F39F64&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=E158A972A605785F&sid=C7DDDE86E6286CD9&eid=A5111BA190517959&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=26