%0 Journal Article
%T Interface Electron States of Solid C70/Si Heterojunctions<br>固体C_(70)/Si异质结的界面电子态
%A CHEN Kai
%A |mao
%A SUN Wen
%A |hong
%A WU Ke
%A WU Lan
%A |qing
%A <br>陈开茅
%A 孙文红
%A 吴克
%A 武兰青
%A 周锡煌
%A 顾镇南
%A 卢殿通
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70 /Si界面远优于室温生长的
%K C_(70) heterojunctions
%K interface electron states<br>C_(70)
%K 异质结
%K 界面电子态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=10AADECD6930C496&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=E158A972A605785F&sid=CF6CB42CFF3D4C4E&eid=5A6705FDACED0BF9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=15