%0 Journal Article
%T Crystalline Quality of Cd/Zn Annealing High Resistivity CdZnTe Wafers<br>高阻CdZnTe晶体的退火处理
%A LI Dao-qiang
%A SANG Wen-bin
%A QIAN Yong-biao
%A SHI Wei-min
%A LI Dong-mei
%A LI Wan-wan
%A MIN Jia-hua
%A LIU Dong-hua
%A <br>李道强
%A 桑文斌
%A 钱永彪
%A 史伟民
%A 李冬梅
%A 李万万
%A 闵嘉华
%A 刘冬华
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 获得高电阻率的、完整性好的 Cd Zn Te晶体是研制高性能的 Cd Zn Teγ射线探测器的关键 .运用热力学关系估算了 Cd1 - x Znx 熔体平衡分压 ,尝试以 Cd1 - x Znx 合金源替代 Cd源进行 Cd0 .8Zn0 .2 Te晶片的热处理 ,研究了退火对 Cd0 .8Zn0 .2 Te晶片质量的影响 .结果表明 :在 10 6 9K下用 Cd0 .8Zn0 .2 合金源 (PZn=0 .12 2e5 Pa和 PCd=1.2 0e5 Pa)对 Cd0 .8Zn0 .2 Te晶片退火 5天以上 ,可提高晶体电阻率一个数量级和晶体红外透过率 10 %以上 ,并可消除或减小晶片中的 Te沉淀 ,同时避免了 Zn的损失 ,改善 Zn的径向分布 .可见 ,采用 Cd1 - x Zn
%K CdZnTe热处理
%K Cd1-xZnx熔体蒸汽压
%K γ射线探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DFE8EA5C0A298EF6&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=94C357A881DFC066&sid=65FC738C50B41E43&eid=4720E9D07E8A2290&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=13