%0 Journal Article
%T Plasma-Enhanced Vapor Deposition Amorphous SiOx∶H(0≤x≤2.0)Films by Infrared Absorption Spectroscopy<br>等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱
%A HE Le-nian
%A <br>何乐年
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 以等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在 30 0℃下用 Si H4和 O2 混合气体制备了非晶 Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H,0≤ x≤ 2 .0 )薄膜 ,并用傅里叶红外光谱 (FT- IR)测试分析了薄膜中的 Si— O— Si键红外吸收特性 .Si— O— Si伸缩振动模在 10 5 0 cm- 1和 115 0 cm- 1附近有两个吸收峰 ,而弯曲振动模在 80 0 cm- 1附近有一个吸收峰 . 10 5 0 cm- 1和115 0 cm- 1 吸收带的吸收强度之和 Isum与薄膜中的 Si原子密度 NSi之比 Isum/ NSi在氧含量 x =0— 2 .0的范围内和 x成正比 .求得氧含量比例系数 ASi O (Si— O谐振子强度的倒数 )为 1.48× 10 1 9cm- 1 .
%K PECVD
%K 非晶氧化硅薄膜
%K 红外吸收光谱
%K Si—O—Si键
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=259D7A4F46E086DD&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=94C357A881DFC066&sid=D5970ECA7D10A7B1&eid=2EAE52BA5B1222A9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=20