%0 Journal Article
%T AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验
%A 张敬明
%A 陈良惠
%A 曾安
%A 肖建伟
%A 徐俊英
%A 杨国文
%A 李文康
%A 徐遵图
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.
%K 半导体
%K 激光器
%K 光增益
%K 矩阵理论
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398B579A9D3427432700&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=5D71B28100102720&eid=67969BA850333433&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=4