%0 Journal Article
%T Effects of Substrate Temperature on Properties of Silicon Dioxide Thin-Film Deposited by Direct Photochemical Vapor Deposition<br>衬底温度对直接光CVD SiO_2薄膜特性的影响
%A Liu Yurong
%A Du Kaiying
%A Li Guanqi
%A <br>刘玉荣
%A 杜开瑛
%A 李观启
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 采用以低压氙 (Xe)气激发真空紫外光作光源 ,以 Si H4和 O2 作反应气体的直接光 CVD技术淀积 Si O2 薄膜 .通过椭圆偏振法、红外光谱法、C- V特性法对不同衬底温度下淀积的 Si O2 薄膜的特性进行研究 .结果表明 :衬底温度在 40～ 2 0 0℃范围内 ,薄膜的折射率在 1.40～ 1.46之间 ,在沉积膜的红外光谱中未出现与 Si— H、Si— OH相对应的红外吸收峰 .Si O2 薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大 ,其最小值可达 1.73× 10 1 0 cm- 2 .
%K direct photo-CVD
%K SiO_2 thin-film
%K C-V characteristics<br>直接光CVD
%K SiO2薄膜
%K C-V特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9707A704C52B7642&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=95780E43ADDDE2AA&eid=C81F81170838C444&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=12