%0 Journal Article
%T Etch-Pits of GaN Films with Different Etching Methods<br>对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)
%A Lu Min
%A Chang Xin
%A Fang Huizhi
%A Yang Zhijian
%A Yang Hua
%A Li Zilan
%A REN Qian
%A ZHANG Guoyi
%A Zhang Bei
%A <br>陆敏
%A 常昕
%A 方慧智
%A 杨志坚
%A 杨华
%A 黎子兰
%A 任谦
%A 张国义
%A 章蓓
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 用ThomasSwan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错
%K GaN
%K EPD
%K TD<br>氮化镓
%K 腐蚀坑密度
%K 穿透位错
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9065B5E929E4BC34&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=708DD6B15D2464E8&sid=FFFB69BAAED96604&eid=41685CA5511D97F7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=16