%0 Journal Article
%T 为SIMOX　SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
%A 牛国富
%A 阮刚
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺优化设计和发展ＶＬＳＩＴＣＡＤ具有参考价值，同时给出了在常规氧注入能量（如１５０ｋｅＶ）下用增大剂量方法制备ＴＦＳＯＩ结构的理论依据．
%K 硅膜
%K 二氧化硅
%K SOI
%K 离子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DC6EEEFC549B0242&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=FED67FBA0A707330&eid=984BD2F4D19B9D1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1