%0 Journal Article
%T 布里兹曼法碲镉汞（Hg_（1－x）Cd_xTe）晶体生长过程热场的数值分析
%A 王培林
%A 魏科
%A 周士仁
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 用控制容积法对布里兹曼法碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算．介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析．虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律，可供从事该方面研究工作时参考．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=76283DC62132290E&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=6341CCF6B158C5F9&eid=3B2BF7AC5674E8E2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0