%0 Journal Article
%T Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察
%A 张灶利
%A 翟启华
%A 纪箴
%A 肖治纲
%A 杜国维
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在Ｃｏ／ＳｉＯ２界面，无硅化物产生．在真空条件下５００℃处理１小时，薄膜没有氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面形成完整的ＣｏＳｉ２外延层．
%K Co／Si
%K Co／SiO2
%K 界面反应
%K 硅化物薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E12290737B3E35FCFF14C4A1&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=FDC7AF55F77D8CD4&eid=DC330B09A33F1455&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3