%0 Journal Article
%T 非晶硅X－射线探测阵列的研究
%A 郑怀德
%A 廖显伯
%A 孔光临
%A 刁宏伟
%A 万旭东
%A 夏传钺
%A 潘广勒
%A 肖君
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 研制出ａ－Ｓｉ：Ｈｐｉｎ型Ｘ－射线间接探测线阵，它探测的是Ｘ－射线在闪光体（Ｃｓｌ）所激发的荧光，制备出单元面积分别为２．５×２．５ｍｍ２、１．６×１．６ｍｍ２和１００×１００μｍ２的１６、２５、３２０单元的线阵．器件的暗电流达到１e－１２Ａ／ｍｍ２（－１０ｍＶ），光灵敏度～０．３５μＡ／μＷ（６００ｎｍ）．本文报道了Ｘ－射线探测阵列的制备及测试结果．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=936DC1D40193DDEE&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=B31275AF3241DB2D&sid=AC2617B68B137D9D&eid=D98387EFB283C5E0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0