%0 Journal Article
%T MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究
%A 彭承
%A 陆叶华
%A 孙恒慧
%A 唐文国
%A 李自元
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。
%K 碲化镉
%K MOCVD生长
%K 缺陷
%K CdTe
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4CDAD935E56BB4D8&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=7EBE588F611589FC&eid=798FBE8DE1A255B1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3