%0 Journal Article
%T 应变CdTe/Cd_(0.633)Mn_(0.367)Te单量子阱结构的光致发光谱
%A 沈文忠
%A 沈学础
%A 常勇
%A 唐文国
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报道应变CdTe／Cd0.633Mn0.367Te单量子阱中光致发光光谱．结合理论计算得到导带不连续因子Qc为0．92±0．01．讨论了量子阱中的能带填充效应．实验发现量子阱中的发光结构在整个测量温度下（20～200K）都为激子跃迁，其线型展宽主要由纵光学声子决定．高温下此量子阱中辐射复合效率降低的主要机制是载流子热激发出势阱，并伴随着在势垒中的非辐射复合．
%K 单量子阱
%K 光致发光谱
%K 应变结构
%K 化合物半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C91E4EE7D94E038A4F&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7801E6FC5AE9020C&eid=659D3B06EBF534A7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=12