%0 Journal Article
%T 低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟
%A 肖志雄
%A 魏同立
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系，计算结果与实验相吻合．结果表明在77K时，电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在300K时则由有效基区展宽效应决定，特征频率在300K时主要由基区渡越时间决定，而在77K时，由于发射区禁带变窄效应非常明显，以至于发射区少于存贮时间可能成为主要因素．低温下特征频率蜕变的主要原因是禁带变窄效应，而不是低温浅能级杂质陷阱效应．
%K 硅双极晶体管
%K 电流增益
%K 特征频率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E1FDD59235E36D19&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=ECE8E54D6034F642&eid=2A3781E88AB1776F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2