%0 Journal Article
%T 功率MOSFET反向特性的分析模拟
%A 周宝霞
%A 陈治明
%A 王守觉
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟，着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用，并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析，提出了改善措施，并得到了与实际相符合的结论．
%K 功率MOSFET
%K 场效应器件
%K 反向特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B6250A7D235DCD84&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=9971A5E270697F23&eid=6209D9E8050195F5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3