%0 Journal Article
%T 极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究
%A 朱红卫
%A 史常忻
%A 陈益新
%A 李同宁
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．
%K 光电探测器
%K 双重势垒增强层
%K 设计
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0C294C5E08F19880&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=BC12EA701C895178&eid=96C778EE049EE47D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2