%0 Journal Article
%T Photovoltaic Study of InP Single Crystal at Low Temperatures<br>lnP单晶特性的低温光伏研究
%A YAN Yongmei/Xiamen University
%A <br>颜永美
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文应用等光强方法,在0.75μm至带边的波段内对无掺杂的n型InP单晶(n_0=2×10~(16)cm~(-3))分别测量了298K、77.4K、50K、20K、13.7K下的光伏谱。在微机上完成拟合计算,确定了各有关参数在上述各温度下的各自不同数值,得出它们各自随温度变化的大体规律。进而提出了双施主-深陷阱模型,计算了双施主的能级位置和密度,说明了n_0～T的依从关系,并应用此模型,半定量地讨论了材料的寿命行为,从而探讨了复合机理。对S_p～T关系也作了定性讨论。
%K InP single crystal
%K Photovoltaie spectra at Low temperatures
%K Mechanism of characters
%K Double donor-deep trap model<br>InP单晶
%K 低温光伏谱
%K 特性机理
%K 双施主-深陷阱模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFB15239D84EC4F3&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=A04140E723CB732E&eid=DB817633AA4F79B9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0