%0 Journal Article
%T Analytical Model of Large-Signal DC I-V Characteristics for 4H-SiC RF Power MESFET''''s<br>4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型
%A 杨林安
%A 张义门
%A 吕红亮
%A 张玉明
%A 于春利
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .
%K 4H-SiC
%K RF power MESFET
%K nonlinear large-signal model
%K DC I-V characteristics<br>4H-SiC
%K 射频功率MESFET
%K 非线性大信号模型
%K 直流I-V特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A004CADC83B0E142&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=7C112B12217D9FAF&eid=4E85BC78FC25985C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=13