%0 Journal Article
%T 半导体微腔物理及其应用
%A 郑厚植
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 半导体微腔物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域．本文就半导体微腔中自发辐射增强效应，腔极化激元与Rabi分裂，腔极化激元的色散关系，稳态与瞬态的光学性质，三维受限微腔和微腔激光器特性等作一概要介绍，力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象．
%K 半导体微腔物理
%K 半导体低维结构
%K 半导体量子理论
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5FB0CFD5368F41A9&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=283B38DAD0D068F3&eid=ABF2590617D31FFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=10&reference_num=2