%0 Journal Article
%T 50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长
%A 潘栋
%A 曾一平
%A 吴巨
%A 王红梅
%A 李晋闽
%A 孔梅影
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在本文，我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层（x～0．01），有效地限制了50周期的In0.3Ga0．7As／GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错，X射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超晶格质量明显改善，可以观察到12级卫星峰，而在没有这个缓冲层的样品上只能观察到3个衍射卫星峰．透射电子显微镜上观察到产生的位错被限制在这个缓冲层中或弯曲进入了衬底而没有进入所需要的外延层。
%K 半导体
%K 应变超晶格
%K 外延生长
%K 50周期
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C993D09E4FBE248560&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=47F7649551A37CFC&eid=8143FF92EEF26F96&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2