%0 Journal Article
%T Low Temperature Silicon and Silicon Germanium Doping Epitaxy by HV/CVD<br>HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延
%A LIU Zhi nong
%A JIA Hong yong
%A LUO Guang li
%A CHEN Pei yi
%A LIN Hui wang
%A TSIEN Pei Hsin
%A <br>刘志农
%A 贾宏勇
%A 罗广礼
%A 陈培毅
%A 林惠旺
%A 钱佩信
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 研究了硼烷 (B2 H6 )掺杂锗硅外延和磷烷 (PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系 .B浓度与 B2 H6 流量基本上成正比例关系 ;生长了 B浓度直至 10 1 9cm- 3的多层阶梯结构 ,各层掺杂浓度均匀 ,过渡区约 2 0 nm,在整个外延层 ,Ge组分 (x=0 .2 0 )均匀而稳定 .PH3掺杂外延速率随 PH3流量增加而逐渐下降 ;P浓度在 PH3流量约为 1.7sccm时达到了峰值 (约 6× 10 1 8cm- 3) .分别按 PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究 PH3掺杂 Si外延的特殊性质
%K SiGe
%K HBT
%K HV/CVD<br>SiGe
%K HBT
%K HV/CVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7DDFE155B3A4812F&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=38B194292C032A66&sid=E3094127AA4ABC1A&eid=4AD4BA66429F5627&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=7