%0 Journal Article
%T Preparation of Single Phase Hexagonal GaN on GaAs (100) Substrate by MOCVD<br>立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜
%A SUN Yi jun
%A LI Ai zhen
%A QI Ming
%A <br>孙一军
%A 李爱珍
%A 齐鸣
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制备出了 Ga N薄膜 . XRD测试表明 ,薄膜具有单一的相 .结合对工艺条件的分析 ,认为薄膜具有六方结构 .最后 ,通过 Raman光谱测试 ,证实在立方 Ga As衬底上制备出了单相六方 Ga N薄膜 .还对立方 Ga As衬底上制备出六方 Ga N薄膜的原因进行了讨论
%K MOCVD
%K GaN
%K GaAs substrate
%K hexagonal structure<br>金属有机化学气相沉积
%K 氮化镓
%K 砷化镓衬底
%K 六方结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4870E69D720173B4&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=38B194292C032A66&sid=C2F76551C0111538&eid=EC34D52BE81085CE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=20