%0 Journal Article
%T Monocrystalline Silicon and Ge-Doped Si Growth with Ring Permanent Magnetic Field<br>利用装置环形永磁场的直拉炉(PMCZ)生长单晶硅和掺锗硅晶体
%A ZHANG Wei lian
%A SUN Jun sheng
%A ZHANG En huai
%A LI Jia xi
%A <br>张维连
%A 孙军生
%A 张恩怀
%A 李嘉席
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 设计了一种永磁 (钕铁硼 )环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅 (PMCZ法 ) .磁力线呈水平辐射状均匀分布 .只要磁场强度足够强 ,即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离心强迫对流 ,从而有效地抑制了固液界面处的温度波动 ,降低以至消除微观生长速率的起伏 ,造成了一种类似于空间微重力环境下生长晶体的条件 .在这种条件下 ,杂质和掺杂剂的运动方式受扩散规律控制 .利用这种装置生长了掺锗 (Ge∶ Si重量比为 1.0 % ,5 .0 %和 10 .0 % )和不掺锗的硅晶体 ,获得了氧浓度较低 ,掺杂剂径向分布均匀性好的较高质量的晶体 .
%K PMCZ
%K weightlessness
%K Ge
%K Si crystal
%K thermal convection<br>永磁场直拉炉
%K 微重力
%K 锗硅单晶
%K 热对流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=03750D8E752EB382&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=38B194292C032A66&sid=F637763636425CAF&eid=7737D2F848706113&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=2