%0 Journal Article
%T Sector Split-Drain MAGFET Structure and Model Based on Standard CMOS Technology<br>基于标准CMOS工艺的扇形磁敏晶体管及其模型
%A Yao Yunruo
%A ZHU Dazhong
%A <br>姚韵若
%A 朱大中
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 提出一种基于0.6μm n阱标准CMOS工艺的扇形分裂漏磁敏晶体管，给出了器件相对灵敏度的数学模型．模型重点在于研究扇形分裂漏磁敏晶体管几何参数对相对灵敏度的影响．通过计算机数值积分计算和实验测试结果修正完善了器件的数学模型．测试结果表明：研制的器件最大相对灵敏度为3.77%/T，扇形结构有利于提高分裂漏磁敏晶体管的相对灵敏度．
%K MAGFET
%K CMOS
%K geometric fact
%K relative sensitivity
%K model<br>MAGFET
%K CMOS
%K 几何修正因子
%K 相对灵敏度
%K 数学模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2428067306E23639&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=E158A972A605785F&sid=8A6D8366EA57F0FF&eid=B37ED91D1227CC95&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6