%0 Journal Article
%T Selective Wet Etching of HF/CrO3 Solution on AlGaAs: Application to Vertical Taper Structures<br>HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备
%A Huang Hui
%A Huang Yongqing
%A Ren Xiaomin
%A Gao Junhua
%A Luo Liping
%A Ma Xiaoyu
%A <br>黄辉
%A 黄永清
%A 任晓敏
%A 高俊华
%A 罗丽萍
%A 马骁宇
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As/ Al0 .3Ga0 .7As的选择性由 179降到 8.6 ;通过调节腐蚀液的选择性 ,在 Al0 .3Ga0 .7As外延层上制备出了倾角从 0 .32°到 6 .6 1°的各种斜面 .当 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比为 0 .0 2 8时 ,Al组分分别为 0 .3、0 .5和 0 .6 5时 ,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为 1.8、9.1和 19.3nm.另外 ,还分析了腐蚀机理
%K dynamic etch mask
%K selective etching
%K wet chemical etching
%K vertical taper structure<br>动态掩膜腐蚀
%K 选择性
%K 化学湿法腐蚀
%K 楔形结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4CE5654B269431AB&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=3D9746C06EC12B45&eid=D2742EEE6F4DF8FE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=12