%0 Journal Article
%T 高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT
%A 熊绍珍
%A 孟志国
%A 代永平
%A 周祯华
%A 张建军
%A 莫希朝
%A 李德林
%A 赵庚申
%A 徐温元
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4D3139B4071586F5&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B47A0E731AF43EB2&eid=5E25104E99903E8A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0