%0 Journal Article
%T GaAs／GaP界面的X射线掠入射衍射分析
%A 崔树范
%A 吴兰生
%A 王观明
%A 麦振洪
%A 王春艳
%A 王玉田
%A 李梅
%A 葛中久
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文用掠入射全反射Ｘ射线衍射，结合常规Ｘ射线衍射，对ＧａＡｓ／ＧａＰ应变层界面进行了研究，给出了界面关配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数．结果表明掠入射衍射（ＧＩＤ）是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具．
%K 砷化镓
%K 磷化镓
%K X辐射
%K 衍射分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FCD418CFD23F7A96&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=EFD65B51496FB200&eid=B62E0EEFE746E568&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3