%0 Journal Article
%T 含氮CZ硅力学行为研究
%A 石志仪
%A 谢书银
%A 佘思明
%A 李立本
%A 张锦心
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。
%K 单晶制备
%K 含氮CZ硅
%K 直拉硅
%K 力学行为
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=687CCB8FA00D5EFE&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=0584DB487B4581F4&eid=F1A8654ADB4E656E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=7