%0 Journal Article
%T 采用CH_4/H_2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究
%A 李建中
%A 陈纪瑛
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X CH_4/H_1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀.由于腐蚀反应过程产生一定的淀积物,有利于增加图形侧墙腐蚀的钝化保护,实现垂直腐蚀,并能提高掩模的掩蔽作用.实验结果说明这是比较实用的一种腐蚀气体系统.对这个腐蚀系统进行了系统的实验,说明气体成分、工作气压、气体流量、射频功率以及掺入氩气对腐蚀效果的影响.
%K CH4／H2
%K 混合气
%K InP
%K 离子腐蚀
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B121259D1225C95342698&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=E158A972A605785F&sid=FA89360EB995A8AD&eid=FE4C96E058BB2280&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=1