%0 Journal Article
%T MISHFET的研制
%A 杨沁清
%A 高俊华
%A 曾一平
%A 孔梅影
%A 孙殿照
%A GaAs
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这是一种具有二维电子气的异质结场效应器件。栅电极尺寸为4μm×40μm,测量到的开启电压为+1.4V,跨导为20—25mS/mm,还给出了低温测量结果。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9BBF329F4D4A30A985B34C90FFA36CB5&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=CEFF71AEB051114C&eid=AF4A4411BB448A36&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0