%0 Journal Article
%T High-Voltage　Ti／6H-SiC　Schottky　Barrier　Diodes<br>高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管(英文)
%A WANG Shu-rui
%A LIU Zhong-li
%A LI Guo-hua
%A YU Fang
%A LIU Huan-zhang
%A <br>王姝睿
%A 刘忠立
%A 李国花
%A 于芳
%A 刘焕章
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.
%K silicon carbide
%K Sc hottky barrier diode
%K 6H-SiC<br>碳化硅
%K 肖特基势垒二极管
%K 6H-Si
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=80BCEA01ACF8C98D&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=5D311CA918CA9A03&sid=CFC2B32D03D9F610&eid=7EEA6F8DDD9FAD6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=13