%0 Journal Article
%T Measurement of Refractive Indices of (AlxGa1-x)0.51In0.49P Grown by Low Pressure Organometallic Vapor Phase Epitaxy<br>低压金属有机化合物气相外延生长的 (Al_x Ga_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P折射率测量(英文)
%A LIAN Peng
%A <br>廉鹏
%A 马骁宇
%A 张广泽
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的与 Ga As衬底匹配 (Alx Ga1 - x) 0 .5 1 In0 .49P外延材料的折射率 .实验中测量的反射谱波长范围为 0 .5— 2 .5 μm.在拟合实验数据过程中采用了单振子模型 .折射率数据用于分析应变量子阱 Ga In P/ Al Ga In P可见光激光二极管波导 ,计算出的器件远场图与实验数据吻合很好 .
%K 金属有机化合物气相外延
%K 折射率
%K 测量
%K AlGaInP
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9B1580F7B268B33D&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=4F0B2F798E08B761&eid=238BD7580EFCC5AE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1