%0 Journal Article
%T Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究
%A 张灶利
%A 肖治纲
%A 杜国维
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相．４５０℃１小时处理形成单相的ＣｏＳｉ．从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=45FEED7423051A71&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=38B194292C032A66&sid=64963996248CBF47&eid=1E41DF9426604740&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0