%0 Journal Article
%T MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率
%A 杜庆红
%A 何力
%A 袁诗鑫
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采用最小二乘法对实验数据下行拟合，得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FC4173F256AFA351&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=38B194292C032A66&sid=B1F98368A47B8888&eid=3E0812ED84A7B31D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0