%0 Journal Article
%T 多孔硅的椭偏光谱研究
%A 莫党
%A 周光增
%A 林位株
%A 张树霖
%A 蔡生民
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文用椭偏光谱法研究多孔硅．采用有效介质理论，从椭偏光谱数据定出不同实验条件下制备成的多孔硅样品的孔隙率．其次，从紫外一可见范围的椭偏光谱得到多孔硅介电函数虚部谱，并与单晶硅相应谱作比较．结果表明主峰带隙随着多孔硅空隙率增加而向高能方向移动，同时在＜３ｅＶ区出现新的吸收带，与能带理论计算结果相符．
%K 多孔硅
%K 椭偏光谱
%K 电子能带结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B596405DD5B40F96&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=38B194292C032A66&sid=6425DAE0271BB751&eid=7EBE588F611589FC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2