%0 Journal Article
%T Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs<br>宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
%A Wang Shurong
%A <br>王书荣
%A 刘志宏
%A 王圩
%A 朱洪亮
%A 张瑞英
%A 丁颖
%A 赵玲娟
%A 周帆
%A 王鲁峰
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 研制了一种张应变准体In Ga As半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80 m A的注入电流下,器件的3d B光带宽大于85 nm(1 5 2 0～1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1 5 2 5～1 5 6 5 nm )和L带(1 5 70～1 6 1 0 nm ) .最为重要的是,在3d B光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在70～90 m A之间;消光比大于5 0 d B.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景
%K semiconductor optical amplifier gate
%K wide bandwidth
%K polarization
%K insensitive
%K tensile
%K strained quasi
%K bulk InGaAs
%K fiber
%K to
%K fiber lossless operation current
%K extinction ratio<br>半导体放大器光开关
%K 宽带
%K 偏振不灵敏
%K 张应变准体InGaAs
%K 光纤到光钎无损工作电流
%K 消光比
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D3434B916EB0B0FE&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=9124D83E61CF1CD0&eid=F52FA2254444BE97&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11