%0 Journal Article
%T 完全　MBE　生长的内含吸收型光栅　GaAlAs／GaAs　多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器
%A 罗毅
%A 司伟民
%A 张盛忠
%A 陈镝
%A 王健华
%A 蒲锐
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EF053114921E89AE&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=12DC19455C3A2FA8&eid=3986B25773CB6C30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0