%0 Journal Article
%T 快速退火Mg∶GaN的光致发光研究
%A 毛祥军
%A 杨志坚
%A 金泗轩
%A 童玉珍
%A 王晶晶
%A 李非
%A 张国义
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ和４５０ｎｍ两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ空位能级到Ｍｇ有关能级的跃迁机制的解释
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=60A36EF4E2B42881&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=E002FF26604EFFAB&eid=0B757E9DCA0EC579&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0